武楷轩：武楷轩移动页面Demo：Flash至Demo:Flash

2025-07-16T05:48:24Z

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2025年7月1日 (二) 02:06 武楷轩

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	\|}		\|}

	==== ~~'''~~关键数据解释：~~'''~~ ====		==== 关键数据解释： ====
	<syntaxhighlight lang="c" line="1">		<syntaxhighlight lang="c" line="1">
	// AES-CTR 128位密钥		// AES-CTR 128位密钥

2025年7月1日 (二) 02:05 武楷轩

2025-07-01T02:05:49Z

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第184行：		第184行：

	=== flash_xip_read: ===		=== flash_xip_read: ===
	~~该部分代码主要测试XIP的软硬件支持，测试了大量的数据，从ox00到oxff~~ 大量数据来测试硬件的可靠性。		该部分代码主要测试XIP的软硬件支持，测试了大量的数据，从0x00到0xFF 大量数据来测试硬件的可靠性。

	'''XIP读取'''		'''XIP读取'''
第192行：		第192行：
	'''缓存一致性'''		'''缓存一致性'''

	~~每次读取前刷新数据缓存确保获取Flash最新数据，测试缓存管理机制。~~		每次读取前刷新数据缓存确保获取Flash最新数据，测试缓存管理。
	bflb_l1c_dcache_invalidate_range(read_buf, sizeof(write_buf));		bflb_l1c_dcache_invalidate_range(read_buf, sizeof(write_buf));
	部分输出：<syntaxhighlight lang="bash" line="1">		部分输出：<syntaxhighlight lang="bash" line="1">

2025年6月30日 (一) 09:29 武楷轩

2025-06-30T09:29:03Z

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第83行：		第83行：

	</syntaxhighlight>		</syntaxhighlight>

	~~=== flash_write_read: ===~~


	=== flash_sucre_write_read: ===		=== flash_sucre_write_read: ===
第152行：		第149行：
	</syntaxhighlight>		</syntaxhighlight>

	==== flash_read_write: ====		=== flash_read_write: ===
	该部分代码对 flash 进行基本的读写测试：		该部分代码对 flash 进行基本的读写测试：

2025年6月30日 (一) 09:28 武楷轩

2025-06-30T09:28:16Z

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第186行：		第186行：
	</syntaxhighlight>		</syntaxhighlight>

	==== flash_xip_read: ====		=== flash_xip_read: ===
	该部分代码主要测试XIP的软硬件支持，测试了大量的数据，从ox00到oxff 大量数据来测试硬件的可靠性。		该部分代码主要测试XIP的软硬件支持，测试了大量的数据，从ox00到oxff 大量数据来测试硬件的可靠性。

武楷轩：添加flash demo 说明

2025-06-30T09:27:52Z

添加flash demo 说明

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=== Demo介绍： ===
这部分Demo放在SDK下的 bouffalo_sdk/examples/peripherals/flash/ 路径下。

主要测试 flash 闪存的基本IO,加密功能，XIP功能。

=== flash_iomode: ===
该部分代码验证 flash 硬件的擦除功能；读出功能；写入功能，以此验证了软硬件功能的正确性和完整性。

'''该demo以不同的SPI通信模式来测试了基本的io'''。

==== 模式说明： ====
{| class="wikitable"
!模式
!全称
!数据线数量
!特点
!应用场景
|-
|'''NIO'''
|Normal I/O
|1线
|标准SPI模式，单向传输
|基本应用
|-
|'''DO'''
|Dual Output
|2线
|输出时使用双线
|中等速度需求
|-
|'''QO'''
|Quad Output
|4线
|输出时使用四线
|高速读取
|-
|'''DIO'''
|Dual I/O
|2线
|输入输出都使用双线
|高速双向
|-
|'''QIO'''
|Quad I/O
|4线
|输入输出都使用四线
|最高性能
|}

==== 性能测试 ====
测量操作：擦除+写入+读取的总时间；比较不同I/O模式的性能差异
start_time = bflb_mtimer_get_time_ms();
//....
printf("cost time:%lld ms\r\n", (bflb_mtimer_get_time_ms() - start_time));
'''地址选择'''：
避开Bootloader区域；使用用户可编程区域
#define FLASH_RW_START_ADDR 0x10000

==== 部分输出： ====
<syntaxhighlight lang="bash" line="1">
===========================
uart sig1:ffffffff, sig2:0000f32f
clock gen1:9ffffffd, gen2:0fff0c11
xtal:40000000Hz(crystal)
board init done
===========================
select flash iomode:NIO
cost time:47 ms
flash data check success
select flash iomode:DO
cost time:44 ms
flash data check success
select flash iomode:QO
cost time:44 ms
flash data check success
select flash iomode:DIO
cost time:42 ms
flash data check success
select flash iomode:QIO
cost time:50 ms
flash data check success
flash io case success

</syntaxhighlight>

=== flash_write_read: ===

=== flash_sucre_write_read: ===
这部分代码分为四部分：

首先进行了AES模块的加密功能性测试，然后对flash进行基本的功能性测试，最后使用flash_aes 解密测试和 AES模块解密测试。

==== 测试内容总结： ====
{| class="wikitable"
!测试阶段
!测试内容
!验证目的
|-
|'''基础AES测试'''
|CTR模式加解密
|硬件AES功能正常性
|-
|'''Flash读写测试'''
|加密数据存储/读取
|Flash驱动可靠性
|-
|'''Flash AES测试'''
|实时解密功能
|Flash AES模块正确性
|-
|'''分段解密测试'''
|多段解密与IV管理
|CTR模式连续操作能力
|}

==== '''关键数据解释：''' ====
<syntaxhighlight lang="c" line="1">
// AES-CTR 128位密钥
uint8_t aes_ctr_128bit_key[16] = {
0x2b, 0x7e, 0x15, 0x16, 0x28, 0xae, 0xd2, 0xa6,
0xab, 0xf7, 0x15, 0x88, 0x09, 0xcf, 0x4f, 0x3c
};

// AES-CTR 128位初始化向量
uint8_t aes_ctr_128bit_iv[16] = {
0x00, 0x6C, 0xB6, 0xDB, 0xC0, 0x54, 0x3B, 0x59,
0x00, 0x00, 0x00, 0x00, 0x00, 0x00, 0x00, 0x00
};

ATTR_NOCACHE_NOINIT_RAM_SECTION uint8_t aes_ctr_pt_buffer[AES_DATA_LEN]; // 明文
ATTR_NOCACHE_NOINIT_RAM_SECTION uint8_t aes_ctr_ct_buffer[AES_DATA_LEN]; // 密文
ATTR_NOCACHE_NOINIT_RAM_SECTION uint8_t aes_ctr_tmp_buffer[AES_DATA_LEN]; // 缓冲区
ATTR_NOCACHE_NOINIT_RAM_SECTION uint8_t aes_ctr_tmp_buffer2[AES_DATA_LEN]; // 缓冲区2
</syntaxhighlight>

==== 部分输出： ====
<syntaxhighlight lang="bash" line="1">
===========================
uart sig1:ffffffff, sig2:0000f32f
clock gen1:9ffffffd, gen2:0fff0c11
xtal:40000000Hz(crystal)
board init done
===========================
aes ctr128 encrypt & decrypt success
flash write & read success
flash decrypt with flash aes ctr128 success
flash decrypt with sec eng aes ctr128 success
flash test success

</syntaxhighlight>

==== flash_read_write: ====
该部分代码对 flash 进行基本的读写测试：

部分输出：<syntaxhighlight lang="bash" line="1">
===========================
uart sig1:ffffffff, sig2:0000f32f
clock gen1:9ffffffd, gen2:0fff0c11
xtal:40000000Hz(crystal)
board init done
===========================
erase addr:00010000
check success
erase addr:00011000
check success
erase addr:00012000
check success
erase addr:00013000
check success
erase addr:00014000
check success
erase addr:00015000
check success
erase addr:00016000
check success
erase addr:00017000
check success
erase addr:00018000
check success
erase addr:00019000
check success
flash read write success

</syntaxhighlight>

==== flash_xip_read: ====
该部分代码主要测试XIP的软硬件支持，测试了大量的数据，从ox00到oxff 大量数据来测试硬件的可靠性。

'''XIP读取'''

通过'''内存映射地址'''直接访问Flash，测试代码执行和数据访问的统一性
read_buf = (uint8_t *)(FLASH_XIP_BASE + flash_addr - bflb_flash_get_image_offset())
'''缓存一致性'''

每次读取前刷新数据缓存确保获取Flash最新数据，测试缓存管理机制。
bflb_l1c_dcache_invalidate_range(read_buf, sizeof(write_buf));
部分输出：<syntaxhighlight lang="bash" line="1">
erase addr:0008b400
check success
erase addr:0008b800
check success
erase addr:0008bc00
check success
erase addr:0008c000
check success
erase addr:0008c400
check success
erase addr:0008c800
check success
erase addr:0008cc00
check success
erase addr:0008d000
check success
erase addr:0008d400
check success
erase addr:0008d800
check success
erase addr:0008dc00
check success
erase addr:0008e000
check success
erase addr:0008e400
check success
erase addr:0008e800
check success
erase addr:0008ec00
check success
erase addr:0008f000
check success
erase addr:0008f400
check success
erase addr:0008f800
check success
erase addr:0008fc00
check success
flash xip read success

</syntaxhighlight>代码将会有很多的输出，因为测量了较为大量的数据。

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